Исследование ионно-электронной эмиссии пленок Cs на гранах (110) и (111) монокристаллов молибдена
Ключевые слова:
электронные эмиссии, субмонослойных, моноатомном бомбардировки ионамиАннотация
При формировании моноатомного слоя в основном изменяется работа выхода поверхности, а величины nB, и ԐF, практически остаются постоянными. В этих условиях параметры ПЭЭ определяются в основном изменением работы выхода поверхности. При переходе к пленке достаточной толщины следует ожидать изменения всех указанных свойств металла и параметры ПЭЭ будут определяться свойствами адсорбированной пленки. В исследованном диапазоне энергий при бомбардировке чистых граней ионами Ar+ величина γ слабо завесить от Е, что свидетельствует о потенциальном характере механизма эмиссии. В случае ионов Ar+наблюдается сложная зависимость γ(Е) : до Е=0,5 кэВ γ уменьшается, а затем монотонно возрастется с ростом Е за счет КЭЭ. Влияние работы выходы поверхности на указанных параметры КЭЭ наиболее заметно при моноатомном покрытии поверхности адатомами и в случае бомбардировки ионами Не+. Этот факт свидетельствует о том что основной поставщик эмитируемых электронов при субмонослойных покрытиях – кристаллическая подложка. Поскольку значения для указанных двух состояний близки, отмеченный факт указывает на одинаковое количество возбужденных электронов в кристаллической подложке и в пленки металла- адсорбата.
Библиографические ссылки
Makhavikou M.A., Komarov F.F.,Vlasukova L.A., Milchanin O.V., Parkhomenko I.N.High Temperature Material Processes Structural and Luminescent Properties of Sn-Doped SiO2 Layers. 18 (2014) 255.
Умирзаков Б.Е. Электронно-спектроскопические исследования и анализ состояния поверхности многокомпонентных систем, созданных ионной имплантацией. док. дисс. Тошкент 1993. С.293
Умирзаков Б.Е., Ниматов С. Ж., Руми Д.С. Структура и свойства многослойных нанопленочных систем созданных на основе кремния. Монография. Тошкент.2013. 159.с
Кремков М.В. Корпускулярная низкоэнергетическая диагностика поверхности твердого тела. Изд. «Фан». Ташкент. 1986.162 С.
Миронов В. Основы сканирующей зондовой микроскопии. Физика техники. Техносфера.Москва.2009
Неволин В.К., -«Основе туннельно – зондовой нанотехнологии: .// Учебное пособие» Москва.МГИЭТ(ТУ) 1996. 91 с
Андреев В.Н., Никитин С Е., Климов В.А., Козырев С.В., Лещев Д.В., Штельмах К.Ф. Исследование фотохромных кластерных систем на основе оксидов Mo методом ЭПР-спектроскопии // Физика твердого тела. 2001.Т.43. №4. С.755
Аллаярова Г.Х., Ташмухамедова Д.А., Джабберганов Р.Изучение процессов формирования наноразмерных пленок МоО3 при термическом окислении и ионной бомбардировке // Поверхность. 2021.№.2. С. 96-94
Гаврилов С.А., Белов А.Н. Электрохимические процессы в технологии микро- и наноэлектроники. М: Высшее образование -2009. С.272.
Аллаярова Г.Х. Электронная структура нанопленок МоО3 полученных методом имплантации ионов О2+ в Мо. // Конференция посещается 80 летнему юбилею академии наук Республики Узбекистан. У Х. Расулева 2019. 23 октябрь
Arnoldussen T.C. Electrochromism and Photochromism in MoO3 // Electrochem . Sol.Solid- State Technology 1976.V.123.P.527
Аллаярова Г.Х. Получение и изучение электронной структуры нанопленок МоО3/Мо. Поверхность.2020 №11. С74-78
Умирзаков Б.Е., Аллаярова Г.Х. Электронная спектроскопия поверхности нанопленок МоО3. «Техника ва технологик фанлар сохаларининг иновацион масалалари» Карши давлат университети 2020 22- сентябрь.
Аллаярова Г.Х. Влияния имплантации ионов Ва+ на состав,электронные и оптические свойства монокристаллического Мо и Мо с оксидной пленок МоО3// УФЖ.2020. №6 С.123 15. А. Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Гулямов С.Т., Аллаярова Г.Х.Влияние имплантации ионов Ва+ на состав и электронные свойства пленок МоО3/Мо(111)// ЖТФ 2020.том.90. вып.5.С.831-834
Ли И. Капустин, “Скандатные катоды СВЧ-приборов: Достижения и перспективы”. Элементная база электроники. Электроника наука ׀технология׀ Бизнес том 2, С.124-136, 2015.
Аллаярова Г.Х., Садикжанов Ж.Ш., Ёркулов Р.М. Ташмухамедова Д.А.Влияние имплантации ионов Ва+ на состав и электронные свойства Мо и МоО3. Тезисы докладов XLIХ международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами (Москва 29-мая 2019)
Загрузки
Дополнительные файлы
Опубликован
Как цитировать
Лицензия
Copyright (c) 2024 Гулмира Аллаярова, Нурлибек Буронов, Шухрат Зарипов
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.