УДК 538971 ОПРЕДЕЛЕНИЕ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ И ШИРИНЫ ЗОНЫ НАНОФАЗЫ SI И НАНОСЛОЕВ SI, СОЗДАННЫХ НА ПОВЕРХНОСТЬЮ SIO2.
Ключевые слова:
Ключевые слова: ионная имплантация, термическое окисление, нанофаз, нанослои, наноструктуры.Аннотация
): После бомбардировки образца SiO2 ионами Ar+ и последующего нагрева нанофазы и нанослои Si формировались на различной глубине образца. Если полученная основа имеет аморфную структуру, то образовавшиеся нанофаза и слои находятся в аморфной кристаллической структуре, и эти слои также сохраняют кристаллическую структуру. При изменении энергии ионов до E=10–25 кэВ формировались нанофазы и нанослои Si на глубине dcr=15–20 нм. При малой дозе ионов образуются нанофазы, при увеличении дозы - нанослои. Толщина образовавшегося нанослоя составляла 8-10 нм.
Библиографические ссылки
Hamasaki M. Crystallographic study of semi‐insulating polycrystalline silicon (SIPOS) doped with oxygen atoms / M. Hamasaki, T. Adachi, S. Wakayama, M. Kikuchi // J. Appl. Phys. - 1978. - Vol. 47, N. 7. - P. 3987-3992.
К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках. - М.: Мир, 1972.
Гусев О.Б. Излучение кремниевых нанокристаллов / О.Б. Гусев, А.Н. Поддубный, А.А. Прокофьев, И.Н. Яссиевич // ФТП. - 2013. - Т. 47, В. 2. - С. 147-167.
Rochet F. Modification of SiO through room-temperature plasma treatments, rapid thermal annealings, and laser irradiation in a nonoxidizing atmosphere / F. Rochet, G. Dufour, H. Roulet, B. Pelloie, J. Perrière, E. Fogarassy, A. Slaoui, M. Froment // Phys. Rev. B. - 1988. - Vol. 37, N.11. - Pр. 6468-6477.
Takeoka S. Size-dependent photoluminescence from surface-oxidized Si nanocrystals in a weak confinement regime / S. Takeoka, M. Fujii, S. Hayashi // Phys. Rev. B. - 2000. - Vol. 62, N. 24. - Pр. 16820 - 16825.
Drevillon B. Growth of hydrogenated amorphous silicon due to controlled ion bombardment from a pure silane plasma / B. Drevillon, J. Perrin, J. M. Siefert, J. Huc, A. Lloret, G. de Rosny, J. P. M. Schmitt // Appl. Phys. Lett. - 1983. - Vol. 42, N. 9. - Pр. 801 - 803.
Krishnan R. Effect of oxidation on charge localization and transport in a single layer of silicon nanocrystals / R. Krishnan, Q. Xie, J. Kulik, X.D. Wang, S. Lu, M. Molinari, Y. Gao, T.D. Krauss, P.M. Fauchet // J. Appl. Phys. - 2004. - Vol. 96, N. 1. - Pр. 654 - 660.
Kanzawa Y. Raman spectroscopy of Si-rich SiO2 films: possibility of Si cluster formation / Y. Kanzawa, S. Hayashi, K. Yamamoto // J. Phys.: Condens. Matter. 1996. - Vol. 8, N. 26. - Pр. 4823 - 4835.
Hollenstein Ch. Silicon oxide particle formation in RF plasmas investigated by infrared absorption spectroscopy and mass spectrometry / Ch. Hollenstein, A.A. Howling, C. Courteille, D. Magni, S.M. Scholz, G.M.W. Kroesen, N. Simons, W. de Zeeuw, W. Schwarzenbach. // J. Phys. D: Appl. Phys. - 1998. - Vol. 31, N. 1. -Pр. 74 - 84.
Takagi H. Quantum size effects on photoluminescence in ultrafine Si particles / H. Takagi, H. Ogawa, Y. Yamazaki, A. Ishizaki, T. Nakagiri // Appl. Phys. Lett. 1990. - Vol. 56, N. 24. - Pр. 2379 - 2380.
Patrone L. Photoluminescence of silicon nanoclusters with reduced size dispersion produced by laser ablation / L. Patrone, D. Nelson, V.I. Safarov, M. Sentis, W. Marine, S. Giorgio // J. Appl. Phys. - 2000. - Vol. 87, N. 8. - Pр. 3829-3837.
Эргашов Ё.С., Ташмухамедова Д.А., Раббимов Э. Энергетические спектры нанопленок SiO2, созданных на поверхности Si ионной имплантацией. // Поверхность, Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. Россия 2015, №4, С.31-38. (№40.ResearchGate; IF=0.52).
Юсупжанова М.Б., Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. Состав морфология элекронная структура наноразмерных фаз, созданных на поверхности SiO2 бомбардировкой ионами Ar+. Журнал технический физики, 2016, том 86, вып.4. С.148-150.
Болтаев Х.Х, Ташмухамедова Д.А., Умирзаков Б.Е. // Поверхность. Рентген., синхротр.инейтрон.исслед. 2014. №4. С.24.
Исаханов З.А., Б.Е., Халматов А.С., Юсупжанова М.Б. Влияние имплантации ионов бария и последующих технологических обработок на эмиссионные свойства пленок окиси кремния.Uzbek Journal of Phusics2016. Vol.18(№5). РР. 343-348
Умирзаков Б.Е., Исаханов З.А.,Рузибаева М.К., Ёркулов Р.М. Формирование наноразмерных пленок SiO2 на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu при имплантации ионов O+2 // ЖТФ.2019.Т.89.№6 17. Tashmuhameva D.A, Yusupjanova M.B. Umirzakov B.E. Composition, morphology and electronic structure of the nanophases created on the SiO2 surface by Ar ion bombardment// Nechnical Phusics, 2016, Vol. 61 No 4. p/627-629
Аллаярова Г.Х., Ташмухаммедова Д.А., Умирзаков Б.Е. Влияние имплантации ионов О2+ и последующие отжига на состав и плотности состояние валентных электронов Si(111)Ферганский политехнический иститут.2020.13-14 ноябрь.
Аллаярова Г.Х., Толипова Ш., Йулдашев Н., Ташмухамедова Д.А. Влияние имплантации ионов О2+ и последующие отжига на состав и плотности состояние валентных электронов Si (111). // Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниковых микро-и наноструктура. Ферганский политехнический иститут.2020.13-14 ноябрь.
Ташмухамедова Д.А., Юсупжанова М.Б., Аллаярова Г.Х., Умирзаков Б.Е.Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны наноразмерных фаз Si, созданных на различных глубинах приповерхностной области SiO2// Пысма в ЖТФ. 2020.том.46. вып. 19 с.32-34
Загрузки
Дополнительные файлы
Опубликован
Как цитировать
Лицензия
Copyright (c) 2025 Nurbek Farmonov; Gulmira Allayarova, Sarvinoz Allanazarova, Nurlibek Buronov
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution» («Атрибуция») 4.0 Всемирная.
