СОСТАВ И СТРУКТУРА МЕЖФАЗНОЙ ГРАНИЦЫ Si /Al(111) И Si/Cu(111)
Ключевые слова:
гетероструктура, нанопленки, нанофазы, монокристалл, потерь энергии электронами, интенсивность, плазменные колебания, фотоэлектроныАннотация
В данной работе приведены результаты экспериментальных исследовании закономерности формирования межфазной границы при напылении Si и Ge на поверхность монокристаллов Al(111) и Cu(111). Установлены оптимальные режимы напыления и отжига для получения систем полупроводник-металл. Определены влияние имплантации ионов бария на состав, морфологию, электронную и кристаллическую структуру системы Si(Ge)/Cu(Al). Показано оптимальная температура создания наногетероструктуры Si-CuSi-Cu. На основе данных ОЭС и ХПЭ впервые установлено, что при напылении Si на поверхность Al и последующего отжига не образуется соединение между атомами Si и Al. Определены параметры энергетических зон CuSi.
Библиографические ссылки
Landry O., Bougerol C., Renevier H., Daudin B. // Nanotechnology. – 2009. – Т. 20. – №. 41. – С. 415602.
Wang D., Zou Z. Q. Formation of manganese silicide nanowires on Si (111) surfaces by the reactive epitaxy method //Nanotechnology. – 2009. – Т. 20. – №. 27. – С. 275607
Домашевская Э.П., Терехов В.А., Турищев С.Ю., Коюда Д.А., Румянцева Н.А., Першин Ю.П., Кодратенко В.В., Appathurai N. // ФТТ. – 2013. Т. 55. - №. 3. - С. 577 – 584.
Алексеев А.А., Олянич Д.А., Утас Т.В., Котляр В.Г., Зотов А.В., Саранин А.А. // ЖТФ. - 2015. - Т.85. - №.10. - С.94-100.
В.М. Ротштейн, Р.Х. Ашуров, Т.К. Турдалиев, И.Х. Ашуров // Uzbek Journal of Physics. – 2017. - №4. - С.12.
Masini G., Colace L., Assanto G. Assanto G. Si based optoelectronics for communications //Materials Science and Engineering: B. – 2002. – Т. 89. – №. 1-3. – С. 2-9.
Pavesi L. Will silicon be the photonic material of the third millenium? //Journal of Physics: Condensed Matter. – 2003. – Т. 15. – №. 26. – С. R1169.
Krasil'nik Z. F., Novikov A. V. E. Optical properties of strained Si1–xGex and Si1–x–yGexCy heterostructures //Physics-Uspekhi. – 2000. – Т. 43. – №. 3. – С. 295.
Дружинин А. А., Островский И. П., Ховерко Ю. Н., Ничкало С. И., Корецкий Р. Н. Нанокристаллы Si1–xGex в роли чувствительных элементов сенсора магнитного поля и температуры //Технология и конструирование в электронной аппаратуре. – 2012. №. 5. – С. 19.
Неизвестный И. Г. МДП-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ Ge-ПУТЬ ДАЛЬНЕЙШЕГО РАЗВИТИЯ КМОП-ТЕХНОЛОГИИ //Автометрия. – 2016. – Т. 52. – №. 5. – С. 5-13.
Bolkhovityanov Y. B., Deryabin A. S., Gutakovskii A. K., Sokolov L. V. Unzipping and movement of Lomer-type edge dislocations in Ge/GeSi/Si (0 0 1) heterostructures //Journal of Crystal Growth. – 2018. – Т. 483. – С. 265-268.
Saito S., Al-Attili A. Z., Oda K., Ishikawa Y. Towards monolithic integration of germanium light sources on silicon chips //Semiconductor Science and Technology. – 2016. – Т. 31. – №. 4. – С. 043002.
Liu J., Kimerling L. C., Michel J. Monolithic Ge-on-Si lasers for large-scale electronic–photonic integration //Semiconductor Science and Technology. – 2012. – Т. 27. – №. 9. – С. 094006.
Умирзаков Б.Е. Диссертация на соиск. уч. степ. д.ф.-м.н. Электронно-спектроскопические исследования и анализ состояния поверхности многокомпонентных систем, созданных ионной имплантацией. - 1993. - С 293.
Исаханов З.А., Ёркулов Р.М., Туляганова Ш.А. Изучение свойства наноразмерных структур, созданных на поверхности свободной пленочной системы Si/Cu //Лазерные, плазменные исследования и технологии-ЛАПЛАЗ-2020. – 2020. – С. 204-205.
Загрузки
Дополнительные файлы
Опубликован
Как цитировать
Лицензия
Copyright (c) 2024 Руслан Ёркулов
Это произведение доступно по лицензии Creative Commons «Attribution-NonCommercial-NoDerivatives» («Атрибуция — Некоммерческое использование — Без производных произведений») 4.0 Всемирная.
