Published December 10, 2023
| Version v1
Journal article
Open
Перспективы применения элементов с аномальными фотовольтаическими напряжениями
Creators
- 1. доктор философии по техническим наукам, Ферганский филиал Ташкентского университета информационных технологий имени Мухаммада аль-Хорезми
Description
В данной работе проведены результаты экспериментальных исследований АФН-эффекта. Сформулировано и определено природа микропроцессов, приводящих к возникновению аномально высоких фотоэлектрических напряжений(АФН-эффект). Проведены исследования энергетических параметров АФН-пленок.
Files
19_132_104-108 Nurdinova R-.pdf
Files
(867.0 kB)
| Name | Size | Download all |
|---|---|---|
|
md5:e143d40f231856a22b4b16153572a3b1
|
867.0 kB | Preview Download |
Additional details
References
- Касимахунова А.М., Нурдинова Р.А. «АФН-элементы с двойным лучепреломлением» Uzbek Jornal of Physics, 2017 Vol.19 (№5), PP 302-306.
- Р.Найманбаев, С. Ирматов «Ярим утказгичли фотоприёмниклар, «Фаргона» нашриёти, 2011
- Б.Х.Каримов, Известия Томского политехнического университета., 2009, Т.314, №2
- Материалы II Международной конференции по «Оптическим явлениям в полупроводниковых микро- и наноструктурах», Фергана , 8-9 сентября 2011г., с.179
- Эргашев Ж. ИЗВ. АН УзССР. Сер. Физ.-мат. наук, 1978, №2, С.60
- Найманбаев Р. И др. Запоминающие устройства, Авт.Свид.СССР.1976 №546936
- Касимахунова А.М., Найманбаев Р., Мамадалиева Л.К., Нурдинова Р.А., Олимов Ш.А. «Исследования некоторых явлений в АФН-структурахс изовалентными примесями для разработки приборов и устройств неразрушающего контроля и измерения», г. Москва, Computational nanotechnology, № 2, 2018 г.с.72-76
- Kasimakhunova A., Naymanbayev R., Mamadalieva L., Nurdinova R., Olimov Sh., «Research of AHV-effect in films and rystalswith the effect of the double luxurification», г. Москва, Computational nanotechnology, № 2, 2018 г.с.44-48
- Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики г. Москва, Наука, М.,1979